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半導體制造工藝流程課件-wenkub.com

2026-02-17 04:30 本頁面

　　

【正文】 2023/2/1 4:51:3504:51:3501 February 2023? 1一個人即使已登上頂峰，也仍要自強不息。勝人者有力，自勝者強。二月 21二月 21Monday, February 01, 2023? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。。二月 2104:51:3504:51Feb2101Feb21? 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 2023/2/1 4:51:3504:51:3501 February 2023? 1做前，能夠環視四周；做時，你只能或者最好沿著以腳為起點的射線向前。二月 21二月 2104:51:3504:51:35February 01, 2023? 1他鄉生白發，舊國見青山。二月 21二月 21Monday, February 01, 2023? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。s to double checking metal deposition thicknesses. At the helm, another one of our process engineers you may have spoken with Mark Hinkle. 檢測Here we are looking at the Ining material disposition racks 材料間Above you are looking at a couple of views of the facilities on the west side of Fab One. Here you can see one of our Meg/Ohm DI water systems and one of four 10,000 CFM air systems feeding this fab (left picture), as well as one of our waste air scrubber units (right picture). Both are inside the building for easier maintenance, longer life and better control. 集成電路（ Integrated Circuit, IC）：半導體 IC，膜 IC，混合 IC半導體 IC：指用半導體工藝把電路中的有源器件、無源元件及互聯布線等以相互不可分離的狀態制作在半導體上，最后封裝在一個管殼內，構成一個完整的、具有特定功能的電路。t want to wear space suits, we run it as a class 10 fab. Even though it consistently runs well below Class Ten. 一級凈化廠房Here in the Fab Two Photolithography area we see one of our 200mm .35 micron ILine Steppers. this stepper can image and align both 6 8 inch wafers. 光刻區域亞微米級光刻機Another view of one of the Fab Two Photolithography areas. Here we see a technician loading 300mm wafers into the SemiTool. The wafers are in a 13 wafer Teflon cassette codesigned by Process Specialties and SemiTool in 1995. Again these are the world39。 8??200mm。光刻 Ⅷ 引線孔光刻。光 Ⅶ N管場區光刻， N管場區注入，形成 NMOS的源、漏區及 N+保護環。光 Ⅴ 多晶硅光刻，形成多晶硅柵及多晶硅電阻多晶硅NSiPCMOS集成電路工藝以 P阱硅柵 CMOS為例? 9。光 IIIN管場區光刻，刻出 N管場區注入孔； N管場區注入。去除 SiO2，長薄氧，長 Si3N4NSiPSi3N4CMOS集成電路工藝以 P阱硅柵 CMOS為例? 4。氧化TepiXjc+Xmc+TBLup+tepioxSiO2N+BLPSUBNepiN+BL第二次光刻 — P+隔離擴散孔? 在襯底上形成孤立的外延層島 ,實現元件的隔離 .SiO2N+BLPSUBNepiN+BLNepiP+ P+P+涂膠 — 烘烤掩膜（曝光）顯影堅膜 — 蝕刻 — 清洗— 去膜清洗 —P+ 擴散 (B)第三次光刻 — P型基區擴散孔決定 NPN管的基區擴散位置范圍SiO2N+BLPSUBNepiN+BLP+ P+P+P P去 SiO2— 氧化涂膠 — 烘烤掩膜（曝光）顯影堅膜— 蝕刻 — 清洗 — 去膜 — 清洗 — 基區擴散 (B)第四次光刻 — N+發射區擴散孔? 集電極和 N型電阻的接觸孔 ,以及外延層的反偏孔。雜質濃度大2。一支 85公分長，重 8寸硅晶棒，約需 2天半時間長成。半導體制造工藝分類PMOS型雙極型MOS型CMOS型NMOS型BiMOS飽和型非飽和型TTL I2L ECL/CML半導體制造工藝分類? 一雙極型 IC的基本制造工藝：? A 在元器件間要做電隔離區（ PN結隔離、全介質隔離及 PN結介質混合隔離） ECL（不摻金）（非飽和型）、TTL/DTL （飽和型）、 STTL （飽和型） B 在元器件間自然隔離 I2L（飽和型）半導體制造工藝分類? 二 MOSIC的基本

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